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碳化硅是一種具有很好的耐腐蝕性能的材料，我們可以使用它制作陶瓷等各種產品。在使用碳化硅制作陶瓷的時候，有多種燒結方法可以讓我們進行選擇，我們能夠根據具體的加工環境選擇合適的燒結方法，這樣可以提高燒結的效率。
碳化硅熱壓燒結和高溫等靜壓燒結可制備高致密碳化硅陶瓷，燒結溫度在1950～2100℃，因此碳化硅內襯廠家發現，碳化硅難以制造形狀復雜的制品，且成本高。
碳化硅反應燒結由α-SiC和石墨粉末按一定比例混合壓成坯體，加熱使之與熔融的液態Si或氣相Si反應，生成β-SiC。此法燒結溫度較低(1400～1600℃)，因此可制造形狀復雜的制品，但是坯體中會殘留8%～20%的游離硅，因此碳化硅內襯廠家認為，這限制了碳化硅高溫力學性能及在強酸強堿中的應用。
碳化硅陶瓷不僅具有室溫強度高、耐腐蝕、耐磨和低摩擦系數，而且具有較高的高溫強度和抗蠕變性能，使用溫度可達1600℃，是目前已知的陶瓷材料中高溫抗氧化、強度好的材料。
碳化硅陶瓷脆性大，斷裂韌性較低。采用纖維、晶須和顆粒可增韌補強，提高碳化硅陶瓷的韌性和強度。
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